学科

学年

 

 

E5

 

科目,

分類

 

    固体電子工学

Solid State Electronics

 

講義,
必修

 

通年

2単位

 

 

平林紘治

HIRABAYASHI Hiroharu

内容と目標

  量子力学入門、統計力学入門、固体の伝導機構、p-n接合、金属半導体接触、ヘテロ接合

半導体の光電特性、電子デバイス等固体の電気伝導機構の基礎を基に、ダイオード、トランジスタ、

JFET、MOSFET、LED、LD、その他の光半導体デバイス等の動作機構、特性、応用例について学ぶ。

教科書等

  半導体工学  高橋清  森北出版、 プリント

  参考文献:半導体デバイスの基礎 桜庭一郎  森北出版

評価方法

 講義の理解度、課題レポート、定期試験の成績を総合して評価する

関連科目

 電磁気、物理、応用物理、数学、電子回路、回路理論、マイクロ波工学

 

授  業  計  画

 第1週 量子力学入門:光の波動性と粒子性、電子の波動性と粒子性、ド・ブロイの関係式

 第2週 シュレーディンガー方程式、井戸型ポテンシャル場の電子のエネルギー状態

 第3週 フェルミエネルギー、状態密度関数、トンネル効果

 第4週 固体の帯理論:ペニー・クローニヒモデルによるエネルギー帯理論

 第5週 許容帯中の固有関数(k)の数、循環条件、許容帯中の状態密度関数

 第6週 有効質量、正孔

 第7週 自由電子近似モデル

 第8週 前期中間試験

 第9週 束縛電子近似モデル

 10 統計力学の基礎:エネルギー分布則の種類

 11 フェルミ・ディラックの分布関数

 12  半導体の伝導機構:半導体の電気伝導現象

 13 真性半導体のキャリア密度

 14 外因性(不純物)半導体のキャリア密度

 15 前期末試験

 16 キャリアの再結合

 17 キャリアの連続方程式

 18 格子散乱、アインシュタインの関係式

 19  p-n接合:接合のエネルギー準位図

 20 接合の逆方向降伏現象、接合容量、トンネルダイオード

 21 p-n接合の応用

 22 金属ー半導体接触:エネルギー準位図、整流性接触、オーミック接触

 23 モットーの整流理論、ショトキーの整流理論

 24 ヘテロ接合:界面準位、エネルギー準位図

 25 ヘテロ接合の電流輸送機構、デバイスへの応用、(LED,LD)

 26 トランジスタ:BJT、エネルギー準位図、動作機構、等価回路

 27 FET:接合型FETの構造、動作原理、V−I特性、等価回路

 28 MOSFET:MOS構造、動作原理、V−I特性、等価回路

 29 半導体の光学的特性とその応用:CCD、光電効果

 30 学年末試験