学科 学年 |
E5 |
科目, 分類 |
固体電子工学 Solid
State Electronics |
講義, |
通年 2単位 |
担 当 |
平林紘治 HIRABAYASHI
Hiroharu |
【内容と目標】 量子力学入門、統計力学入門、固体の伝導機構、p-n接合、金属半導体接触、ヘテロ接合 半導体の光電特性、電子デバイス等固体の電気伝導機構の基礎を基に、ダイオード、トランジスタ、 JFET、MOSFET、LED、LD、その他の光半導体デバイス等の動作機構、特性、応用例について学ぶ。 【教科書等】 半導体工学 高橋清 森北出版、 プリント 参考文献:半導体デバイスの基礎 桜庭一郎 森北出版 【評価方法】 講義の理解度、課題レポート、定期試験の成績を総合して評価する 【関連科目】 電磁気、物理、応用物理、数学、電子回路、回路理論、マイクロ波工学 |
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授 業 計 画 |
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第1週 量子力学入門:光の波動性と粒子性、電子の波動性と粒子性、ド・ブロイの関係式 第2週 シュレーディンガー方程式、井戸型ポテンシャル場の電子のエネルギー状態 第3週 フェルミエネルギー、状態密度関数、トンネル効果 第4週 固体の帯理論:ペニー・クローニヒモデルによるエネルギー帯理論 第5週 許容帯中の固有関数(k)の数、循環条件、許容帯中の状態密度関数 第6週 有効質量、正孔 第7週 自由電子近似モデル 第8週 前期中間試験 第9週 束縛電子近似モデル 第10週 統計力学の基礎:エネルギー分布則の種類 第11週 フェルミ・ディラックの分布関数 第12週 半導体の伝導機構:半導体の電気伝導現象 第13週 真性半導体のキャリア密度 第14週 外因性(不純物)半導体のキャリア密度 第15週 前期末試験 第16週 キャリアの再結合 第17週 キャリアの連続方程式 第18週 格子散乱、アインシュタインの関係式 第19週 p-n接合:接合のエネルギー準位図 第20週 接合の逆方向降伏現象、接合容量、トンネルダイオード 第21週
p-n接合の応用 第22週 金属ー半導体接触:エネルギー準位図、整流性接触、オーミック接触 第23週 モットーの整流理論、ショトキーの整流理論 第24週 ヘテロ接合:界面準位、エネルギー準位図 第25週 ヘテロ接合の電流輸送機構、デバイスへの応用、(LED,LD) 第26週 トランジスタ:BJT、エネルギー準位図、動作機構、等価回路 第27週 FET:接合型FETの構造、動作原理、V−I特性、等価回路 第28週 MOSFET:MOS構造、動作原理、V−I特性、等価回路 第29週 半導体の光学的特性とその応用:CCD、光電効果 第30週 学年末試験 |
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【備 考】 |