学科 学年 |
専攻科ME2 |
科目, 分類 |
電子デバイス Electronic
Devices |
講義, |
後期 2単位 |
担 当 |
平林紘治 HIRABAYASHI Hiroharu |
【内容と目標】 高専本科の固体電子工学で講義した半導体物理を復習して、種種の電子デバイスの動作機構、動作特性応用について学ぶ。 BJT、FET、バルク半導体素子、光半導体素子、集積回路等マルチメヂアの中で活用される素子について講義する。 さらに、これらの半導体の製造技術についても、紹介する。 【教科書等】 半導体デバイス基礎 桜庭一郎 森北出版、 プリント 参考文献: 半導体工学 高橋清 森北出版、ELECTRONIC DEVICES 【評価方法】 講義、課題レポート、定期試験の成績を総合して評価する。 【関連科目】 応用電磁波工学 |
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授 業 計 画 |
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第1週 デバイス物理 第2週 p−n接合と応用素子 第3週 バイポーラトランジスタ 第4週 ユニポーラトランジスタ 第5週 電子デバイスの雑音 第6週 bulk 効果半導体素子 :ガンダイオード 第7週 bulk 効果半導体素子 :インパットダイオード 第8週 ォトニックデバイスー1:発信と増幅 第9週 フォトニックデバイス−2:変調と検波 第10週 フォトニックデバイス−3:太陽電池 、CCD 第11週 サイリスター 第12週 半導体材料技術 第13週 集積回路:アナログ回路 第14週 集積回路:デジタル回路 第15週 期末試験 |
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【備 考】 |